全员有大病！2021年度十大烂片盘点

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Figure1.AnalysisofO-vacancydefectsonthereducedCo3O4nanosheets.(a)CoK-edgeXANESspectra,indicatingareducedelectronicstructureofreducedCo3O4.(b)PDFanalysisofpristineandreducedCo3O4nanosheets,suggestingalargevariationofinteratomicdistancesinthereducedCo3O4structure.(c)CoK-edgeEXAFSdataand(d)thecorrespondingk3-weightedFourier-transformeddataofpristineandreducedCo3O4nanosheets,demonstratingthatO-vacancieshaveledtoadefect-richstructureandloweredthelocalcoordinationnumbers.XRDXRD全称是X射线衍射，片盘即通过对材料进行X射线衍射来分析其衍射图谱，片盘以获得材料的结构和成分，是目前电池材料常用的结构组分表征手段。Figure4(a–f)inoperandoUV-visspectradetectedduringthefirstdischargeofaLi–Sbattery(a)thebatteryunitwithasealedglasswindowforinoperandoUV-visset-up.(b)Photographsofsixdifferentcatholytesolutions;(c)thecollecteddischargevoltageswereusedfortheinsituUV-vismode;(d)thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesofdifferentstoichiometriccompounds;thecorrespondingUV-visspectrafirst-orderderivativecurvesof(e)rGO/Sand(f)GSH/SelectrodesatC/3,respectively.理论计算分析随着能源材料的大力发展，度大烂点计算材料科学如密度泛函理论计算，度大烂点分子动力学模拟等领域的计算运用也得到了大幅度的提升，如今已经成为原子尺度上材料计算模拟的重要基础和核心技术，为新材料的研发提供扎实的理论分析基础。

通过不同的体系或者计算，片盘可以得到能量值如吸附能，活化能等等。度大烂点此外通过EAXFS证明了富含缺陷的四氧化三钴中的Co具有更低的配位数。Kim课题组在锂硫电池的正极研究中利用原位TEM等形貌和结构的表征，片盘深入的研究了材料的电化学性能与其形貌和结构的关系(Adv.EnergyMater.,2017,7,1602078.)，片盘如图三所示。

最近，度大烂点晏成林课题组（NanoLett.,2017,17,538-543）利用原位紫外-可见光光谱的反射模式检测锂硫电池充放电过程中多硫化物的形成，度大烂点根据图谱中不同位置的峰强度实时获得充放电过程中多硫化物种类及含量的变化，如图四所示。片盘通过各项表征证实了蒽醌分子中酮基官能团与多硫化物通过强化学吸附作用形成路易斯酸是提升锂硫电池循环稳定性的关键。

通过在充放电过程中小分子蒽醌与可溶性多硫化锂发生化学性吸附，度大烂点形成无法溶解于电解液的不溶性产物，度大烂点从而实现对活性物质流失的有效抑制，显著地增加了电池的寿命。

材料结构组分表征目前在储能材料的常用结构组分表征中涉及到了XRD,NMR,XAS等先进的表征技术，片盘此外目前的研究也越来越多的从非原位的表征向原位的表征进行过渡。该文章提出利用动态编程器件来解决潜行路径的问题，度大烂点解决了上述的诸多困境。

二级管只适用于单向编程的忆阻器，片盘然而目前主流的高性能忆阻器则为双向编程。【图文导读】图1动态编程概念示范a.目标路径与潜行路径示意图b.动态编程器件特点描述c.利用动态编程来解决潜行路径的策略描述图2蛋白质纳米线忆阻器性能a.使用基于蛋白质纳米线的忆阻器作为动态编程器件b.蛋白质纳米线结构图c.忆阻器整流特性d.忆阻器i-v曲线展示了优良的整流特性e.忆阻器500次i-v循环测试f.忆阻器松弛特性g.忆阻器松弛性能示例h.忆阻器松弛时间统计图3动态编程器件整合策略a.蛋白质忆阻器与其他非易失性忆阻器整合策略b.整合器件的实物图c.整合器件的Set过程d.整合器件的Reset过程e.整合器件可以编程到不一样的电阻值f.整合器件中限流与电导的关系g.利用整合器件将电阻逐渐减小并增加图4潜行路径分析a.潜行路径测试分析电路与实物b.潜行路径电流与目标路径电流对比c.动态编程方法只会改变目标忆阻器的权值d.读裕度（readmargin）分析图5可编程性示范a.8×8忆阻器数组及支持电路b.8×8数组初始权值c.利用8×8数组进行编程的目标图案d.每一次编程的结果e.最终的编程图案f.每一次编程的结果与目标结果分布图g.编程误差统计原文链接：度大烂点https://doi.org/10.1002/adma.202207133【课题组简介】姚军教授为美国麻省大学阿莫斯特分校（UMassAmherst）电子计算机工程系助理教授，度大烂点长期致力于生物传感器，湿度能源设备，低功耗忆阻器，可穿戴设备等诸多领域的研究。

片盘以第一或通讯作者身份在Nature,NatureNanotechnology,AdvancedMaterials,NatureCommunications,ScienceAdvances,JACS,PNAS等诸多著名期刊上发表超过40余篇学术论文。【成果简介】近日，度大烂点麻省大学（UMassAmherst）的姚军教授团队在AdvancedMaterials上发表了题为AnEffectiveSneak-PathSolutionBasedonTransient-RelaxationDevice的文章。